Lateral β-Ga2O3 Schottky barrier diode fabricated on (-201) single crystal substrate and its temperature-dependent current-voltage characteristics

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标题	Lateral β-Ga2O3 Schottky barrier diode fabricated on (-201) single crystal substrate and its temperature-dependent current-voltage characteristics 相关领域材料科学光电子学二极管肖特基二极管肖特基势垒基质（水族馆）热离子发射偏压电压 p-n结电流（流体）
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-1056/ac2729
DOI	10.1088/1674-1056/ac2729 doi
其它	期刊：Chinese Physics B 作者：Peipei Ma; Jun Zheng; Yabao Zhang; Xiangquan Liu; Zhi Liu; et al 出版日期：2021-09-16
求助人	研友_Z7XGz8 在 2022-02-02 14:31:43 发布，悬赏 10 积分
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