FEOL dry etch process challenges of ultimate FinFET scaling and next generation device architectures beyond N3

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标题	FEOL dry etch process challenges of ultimate FinFET scaling and next generation device architectures beyond N3 相关领域 PMOS逻辑 NMOS逻辑节点（物理）材料科学蚀刻（微加工）多重图案堆积光电子学 CMOS芯片电气工程缩放比例计算机科学晶体管 MOSFET 纳米技术图层（电子）工程类抵抗物理电压几何学数学结构工程核磁共振
网址	https://doi.org/10.1117/12.2552022
DOI	10.1117/12.2552022 doi
其它	期刊：Advanced Etch Technology for Nanopatterning IX 作者：Zheng Tao; Liping Zhang; Emmanuel Dupuy; Boon Teik Chan; Efrain Altamirano-Sánchez; et al 出版日期：2020
求助人	包冷玉在 2021-12-29 00:20:48 发布，悬赏 20 积分
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