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 An analytical model for hot-carrier-induced degradation of deep-submicron n-channel LDD MOSFETs 相关领域
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期刊：Solid-state Electronics 作者：Jung-Suk Goo; Young Gwan Kim; Hyeokjae l'Yee; Ho Yup Kwon; Hyungsoon Shin 出版日期：1995-06-01 |
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