| 标题 |
 Surface passivation of GaN and GaN/AlGaN heterostructures by dielectric films and its application to insulated-gate heterostructure transistors 相关领域
异质结
材料科学
光电子学
钝化
电介质
晶体管
宽禁带半导体
氮化镓
栅极电介质
外延
制作
电容
图层（电子）
纳米技术
电气工程
电压
工程类
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| 其它 |
期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 作者：Tamotsu Hashizume; Shinya Ootomo; Takanori Inagaki; Hideki Hasegawa 出版日期：2003-08-08 |
| 求助人 |
研友_Z7m7lL 在
2020-08-03 19:47:18 发布，悬赏 10 积分
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