标题 |
Novel GaN trench MIS barrier Schottky rectifiers with implanted field rings
相关领域
二极管
宽禁带半导体
外延
热离子发射
硅
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网址 | |
DOI |
10.1109/iedm.2016.7838386
doi
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其它 |
期刊:2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:Y. Zhang; M. Sun; Z. Liu; D. Piedra; M. Pan; X. Gao; Y. Lin; A. Zubair; L. Yu; T. Palacios 出版日期:2017-02-08 |
求助人 |
研友_Z7m7lL 在
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