Hot Electron Induced MOSFET Degradation - Model, Monitor and Improvement

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标题	Hot Electron Induced MOSFET Degradation - Model, Monitor and Improvement 相关领域降级（电信）热载流子注入阈值电压负偏压温度不稳定性晶体管栅氧化层
网址	https://ieeexplore.ieee.org/document/1052306
DOI	10.1109/JSSC.1985.1052306 doi
其它	C. Hu, S.C. Tam, F-C. Hsu, P-K. Ko, T-Y Chan and K.W. Terrill, “Hot Electron Induced MOSFET Degradation – Model, Monitor and Improvement”, IEEE Transactions on Electron Devices, 32, pp375-385 (1985).
求助人	compell2022 在 2022-07-27 17:02:30 发布自北京，悬赏 10 积分
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