| 标题 |
 A 1.3 dB NF 7.7 mW 28 GHz LNA in 22 nm FDSOI Technology using Redistribution Layer Gate Inductor 采用再分布层栅电感的22 nm FDSOI技术的1.3 dB NF 7.7 mW 28 GHz低噪声放大器
相关领域
电感器
共栅
电气工程
噪声系数
Q系数
放大器
公共门
光电子学
低噪声放大器
绝缘体上的硅
材料科学
电子工程
CMOS芯片
工程类
硅
电压
谐振器
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2022 IEEE International Conference on Emerging Electronics (ICEE) 作者：Indrajit Das; Shashank Tiwari; K. T. Muhammed Shafi; Varuna Baipadi; Venkata Vanukuru 出版日期：2023-05-16 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
吃不饱星球球长
Ally
寻道图强
豆子
鹊起
嗯哼
穆紫
于芋菊
Jasper
英姑
一一
CipherSage
爆米花
spark810
Frank
Akim
丰盛的煎饼
cc
华仔
Luis
皖公网安备34019202002308
