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Hydrophilic direct bonding of GaN and Si substrates by wet treatments using H2SO4/H2O2 mixture and NH3/H2O2 mixture
H2SO4/H2O2混合物和NH3/H2O2混合物湿法处理GaN和Si衬底的亲水性直接键合
相关领域
材料科学 薄脆饼 图层（电子） 基质（水族馆） 无定形固体 晶片键合 粘结强度 直接结合 阳极连接 极限抗拉强度 化学工程 结晶学 光电子学 复合材料 化学 工程类 地质学 海洋学
网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac5421
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.35848/1347-4065/ac5421 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Shoya Fukumoto; Takashi Matsumae; Yuichi Kurashima; Hideki Takagi; Masanori Hayase; et al
出版日期：2022-02-11
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