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标题
Development of New TiN/ZrO2/Al2O3/ZrO2/TiN Capacitors Extendable to 45nm Generation DRAMs Replacing HfO2 Based Dielectrics
替代HfO2基电介质的可扩展到45nm代DRAM的新型TiN/ZrO2/Al2O3/ZrO2/TiN电容器的开发
相关领域
德拉姆 锡 电容器 电介质 材料科学 计算机科学 光电子学 电气工程 工程类 电压 冶金
网址
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/11173/35986/01705205.pdf...
DOI
10.1109/vlsit.2006.1705205 doi
其它 期刊：2006 Symposium on VLSI Technology, 2006. Digest of Technical Papers.
作者：D.-S. Kil; H.-S. Song; K.-J. Lee; K. Hong; J.-H. Kim; et al
出版日期：2006-10-24
求助人
Lijia_YAO 在 2024-12-24 21:59:55 发布自安徽，悬赏 10 积分
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