标题 |
Optimizing endurance performance of Ga2O3 random resistive access memories by altering oxygen vacancy content
通过改变氧空位含量优化Ga2O3随机电阻存取存储器的耐久性能
相关领域
材料科学
电阻随机存取存储器
欧姆接触
兴奋剂
电导
热传导
电阻式触摸屏
导电体
光电子学
记忆电阻器
氧气
电压
图层(电子)
复合材料
凝聚态物理
电气工程
有机化学
化学
工程类
物理
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Ceramics International 作者:Wenjing Li; Jiaxian Wan; Zexin Tu; Hui Li; Hao Wu; et al 出版日期:2022-02-01 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|