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 Advances in fast 4H–SiC crystal growth and defect reduction by high-temperature gas-source method 高温气源法快速生长4H-SiC晶体及减少缺陷的研究进展
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Hidekazu Tsuchida; Takahiro Kanda 出版日期：2024-03-16 |
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