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标题
TCAD-based investigation of 1/f noise in advanced 22 nm FDSOI MOSFETs
基于TCAD的22 nm FDSOI MOSFET 1/f噪声研究
相关领域
光电子学 MOSFET 材料科学 绝缘体上的硅 噪音（视频） 工程物理 电子工程 电气工程 计算机科学 硅 工程类 晶体管 电压 人工智能 图像（数学）
网址
https://doi.org/10.1063/5.0232149
DOI
10.1063/5.0232149 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Prabhat Khedgarkar; Mohit D. Ganeriwala; Pardeep Duhan
出版日期：2024-11-11
求助人
tzk 在 2024-11-26 09:57:39 发布自江苏，悬赏 10 积分
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