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标题
Demonstration of AlGaN/GaN HEMTs on vicinal sapphire substrates with large misoriented angles
AlGaN/GaN HEMT在大取向错角邻近蓝宝石衬底上的演示
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邻接 蓝宝石 材料科学 光电子学 基质（水族馆） 高电子迁移率晶体管 各向异性 晶体管 宽禁带半导体 电子迁移率 方向（向量空间） 氮化镓 光学 复合材料 几何学 电气工程 化学 电压 物理 地质学 工程类 有机化学 海洋学 激光器 数学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1063/5.0056285
DOI
10.1063/5.0056285 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Haochen Zhang; Yue Sun; Kang‐Il Song; Chong Xing; Lei Yang; et al
出版日期：2021-08-16
求助人
安详的牛青 在 2024-12-14 11:07:43 发布自上海，悬赏 10 积分
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