标题 |
A 2nd Generation of 14/16nm-node compatible strained-Ge pFINFET with improved performance with respect to advanced Si-channel FinFETs
第二代14/16 nm节点兼容应变Ge pFINFET,相对于先进的Si沟道FinFET具有改进的性能
相关领域
节点(物理)
频道(广播)
材料科学
光电子学
电子工程
计算机科学
工程物理
工程类
计算机网络
结构工程
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:2016 IEEE Symposium on VLSI Technology 作者:J. Mitard; L. Witters; Y. Sasaki; H. Arimura; A. Schulze; et al 出版日期:2016-10-07 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|