p-Type Oxide Thin-Film Transistor with Unprecedented Hole Field-Effect Mobility for an All-Oxide CMOS CFET-like Inverter Suitable for Monolithic 3D Integration

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标题	p-Type Oxide Thin-Film Transistor with Unprecedented Hole Field-Effect Mobility for an All-Oxide CMOS CFET-like Inverter Suitable for Monolithic 3D Integration 具有前所未有的孔场效应迁移率的p型氧化物薄膜晶体管，用于适合单片3D集成的全氧化物COCFET类反相器相关领域 CMOS芯片材料科学氧化物逆变器光电子学场效应晶体管晶体管薄膜晶体管电子迁移率纳米技术电气工程工程类图层（电子）电压冶金
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c03742
DOI	10.1021/acs.nanolett.4c03742 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Jiqing Lu; Mei Shen; Xuewei Feng; Tian Tan; Haoyue Guo; et al 出版日期：2024-11-19
求助人	王旭智在 2024-11-20 19:27:04 发布自天津，悬赏 10 积分
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