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 Impact of Circuit Mismatches and Parasitic Parameters on Paralleling 650-V E-Mode GaN HEMTs 电路失配和寄生参数对并联650V E型GaN HEMT的影响
相关领域
模式（计算机接口）
光电子学
氮化镓
材料科学
电子工程
电气工程
计算机科学
工程类
复合材料
图层（电子）
操作系统
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| 其它 |
期刊： 作者：Chen Song; Shan Yin; Jinshu Lin; Hui Li 出版日期：2024-05-17 |
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