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 Defected BN Substrate Induces the Transition from Schottky to Ohmic Contact in Two-Dimensional Metals–Semiconductor Junctions 缺陷BN衬底诱导二维金属——半导体结中从肖特基接触到欧姆接触的转变
相关领域
欧姆接触
费米能级
材料科学
半导体
肖特基势垒
基质（水族馆）
光电子学
肖特基二极管
凝聚态物理
过渡金属
纳米技术
化学
物理
图层（电子）
二极管
地质学
生物化学
海洋学
催化作用
量子力学
电子
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期刊：ACS materials letters 作者：Chuanpeng Pan; Anqi Shi; Wei Gong; Wei Chen; Jing Yan; et al 出版日期：2024-04-30 |
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