Characteristics of InAlAs/InGaAs high-electron-mobility transistors under illumination with modulated light

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标题	Characteristics of InAlAs/InGaAs high-electron-mobility transistors under illumination with modulated light 调制光照射下InAlAs/InGaAs高电子迁移率晶体管的特性相关领域光电子学材料科学高电子迁移率晶体管晶体管光电导性电子二极管砷化镓半导体信号（编程语言）电压物理量子力学计算机科学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1109/16.808049
DOI	10.1109/16.808049 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yoshifumi Takanashi; Kenichi Takahata; Y. Muramoto 出版日期：1999-01-01
求助人	zeroayanami0 在 2025-01-06 21:59:27 发布自吉林，悬赏 10 积分
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