Effect of cerium impurity on the stable growth of the 4H-SiC polytype by the physical vapour transport method

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标题	Effect of cerium impurity on the stable growth of the 4H-SiC polytype by the physical vapour transport method 铈对物理气相输运法稳定生长4H-SiC多型材料的影响相关领域杂质铈成核材料科学 Crystal（编程语言）晶体生长晶种化学工程结晶学单晶化学冶金计算机科学工程类有机化学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126616
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2022.126616 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：K. Racka-Szmidt; E. Tymicki; Marcin Raczkiewicz; Jarosław Sar; Tomasz Wejrzanowski; et al 出版日期：2022-05-01
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