标题 |
An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness
用TiN/TaN双层层厚度调整高k/金属栅nMOSCAP功函数的有效方法
相关领域
锡
NMOS逻辑
材料科学
金属浇口
工作职能
光电子学
图层(电子)
硅
扩散阻挡层
栅氧化层
纳米技术
晶体管
电气工程
冶金
电压
工程类
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DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Semiconductors/Journal of semiconductors 作者:Xueli Ma; Hong Yang; Wenwu Wang; Huaxiang Yin; Huilong Zhu; et al 出版日期:2014-09-01 |
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