Characterization of SiC Substrates Using X-Ray Rocking Curve Mapping

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标题	Characterization of SiC Substrates Using X-Ray Rocking Curve Mapping 用X射线摇摆曲线映射表征SiC衬底相关领域材料科学方向错误半最大全宽光学衍射曲率 X射线 X射线晶体学表征（材料科学）晶格常数格子（音乐）结晶学几何学复合材料物理光电子学数学纳米技术化学微观结构晶界声学
网址	https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.729
DOI	10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.729 doi
其它	期刊：Materials science forum 作者：M. Yoganathan; Ejiro Emorhokpor; Thomas Kerr; Avi Gupta; C.D. Tanner; et al 出版日期：2006-10-15
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