Two-dimensional-materials-based transistors using hexagonal boron nitride dielectrics and metal gate electrodes with high cohesive energy

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标题	Two-dimensional-materials-based transistors using hexagonal boron nitride dielectrics and metal gate electrodes with high cohesive energy 使用具有高内聚能的六方氮化硼电介质和金属栅电极的二维材料晶体管
网址	https://doi.org/10.1038/s41928-024-01233-w
DOI	10.1038/s41928-024-01233-w doi
其它	期刊：Nature Electronics 作者：Yaqing Shen; Kaichen Zhu; Yiping Xiao; Dominic Waldhör; Abdulrahman H. Basher; et al 出版日期：2024
求助人	优秀q 在 2024-09-01 20:39:31 发布自上海，悬赏 10 积分
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