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Synapse Neurotransmitter Channel‐Inspired AlOx Memristor with “V” Type Oxygen Vacancy Distribution
受突触神经递质通道启发的具有“V”型氧空位分布的AlOx忆阻器
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
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长时程增强
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期刊:Small methods 作者:Junlin Yue; Lanqing Zou; Na Bai; Zhu Chenxi; Yunhui Yi; et al 出版日期:2024-05-06 |
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