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 DC performance improvement of nanochannel AlGaN/AlN/GaN HEMTs with reduced OFF-state leakage current by post-gate annealing modulation 栅后退火调制降低关态漏电流改善纳米通道AlGaN/AlN/GaN HEMTs直流性能
相关领域
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退火（玻璃）
材料科学
高电子迁移率晶体管
泄漏（经济）
调制（音乐）
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Soumen Mazumder; Zhan-Gao Wu; Po Cheng Pan; Ssu-Hsien Li; Yeong-Her Wang 出版日期：2021-07-26 |
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