193 nm laser annealing on p-GaN with enhanced hole concentration and wall-plug-efficiency in deep ultraviolet LED

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标题	193 nm laser annealing on p-GaN with enhanced hole concentration and wall-plug-efficiency in deep ultraviolet LED 提高深紫外LED空穴浓度和壁塞效率的p-GaN 193 nm激光退火相关领域材料科学退火（玻璃）光电子学激光器紫外线二极管宽禁带半导体通量激光二极管掺杂剂锭兴奋剂光学合金冶金物理
网址	https://doi.org/10.1063/5.0169647
DOI	10.1063/5.0169647 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Cunhua Xu; Kunzi Liu; Zhehan Yu; Zihui Zhao; Cong Chen; et al 出版日期：2023-10-30
求助人	mj 在 2024-02-19 23:07:26 发布自江西，悬赏 10 积分
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