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标题
Analysis of single event transient impact in Si/Si-Ge Gate-All-Around nanowire FET using TCAD
基于TCAD的Si/Si-Ge栅全能纳米线场效应晶体管单事件瞬态冲击分析
相关领域
纳米线 瞬态（计算机编程） 材料科学 光电子学 事件（粒子物理） 硅纳米线 工程物理 纳米技术 计算机科学 工程类 物理 量子力学 操作系统
网址
https://doi.org/10.1016/j.rineng.2025.103930
DOI
10.1016/j.rineng.2025.103930 doi
其它 期刊：Results in Engineering
作者：Perumal Rajakumar; Satheesh Kumar S
出版日期：2025-01-08
求助人
李沐唅 在 2025-03-10 20:52:26 发布自贵州，悬赏 10 积分
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