Analysis of Single-Event Transient in Tunneling-Based Ternary CMOS with Gate-All-Around Structure

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标题	Analysis of Single-Event Transient in Tunneling-Based Ternary CMOS with Gate-All-Around Structure 基于隧穿的三元全栅结构CMOS的单事件瞬态分析相关领域 CMOS芯片量子隧道瞬态（计算机编程）三元运算事件（粒子物理）逻辑门瞬态分析光电子学材料科学计算机科学电气工程物理瞬态响应工程类算法量子力学程序设计语言操作系统
网址	https://doi.org/10.1109/access.2024.3471809
DOI	10.1109/access.2024.3471809 doi
其它	期刊：IEEE Access 作者：Hyeong-Chan Son; Hyunwoo Kim 出版日期：2024-01-01
求助人	李沐唅在 2025-03-10 20:51:25 发布自贵州，悬赏 10 积分
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