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 Degradation assessment of 1.2-kV SiC MOSFETs and comparative study with 1.2-kV Si IGBTs under power cycling 功率循环下1.2 kV SiC MOSFETs的退化评估及与1.2 kV Si IGBTs的比较研究
相关领域
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材料科学
绝缘栅双极晶体管
可靠性（半导体）
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MOSFET
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Yuan Chen; Hong‐Zhong Huang; Yunliang Rao; Zhiyuan He; Lai Peng; et al 出版日期：2022-05-01 |
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