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Characterization of Single-Event Upsets Induced by High LET Heavy Ions in 16 nm bulk FinFET SRAMs
16 nm体FinFET SRAM中高LET重离子诱导的单事件扰动的表征
相关领域
重离子 离子 表征（材料科学） 材料科学 单事件翻转 随机存取存储器 静态随机存取存储器 核物理学 事件（粒子物理） 核工程 物理 光电子学 电子工程 电气工程
网址
https://doi.org/10.1109/tns.2021.3127567
DOI
10.1109/tns.2021.3127567 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
作者：Chi Yaqing; Huang Pengcheng; Sun Qian; Liang Bin; Zhao Zhenyu
出版日期：2021-11-13
求助人
李沐唅 在 2025-04-02 19:40:27 发布自贵州，悬赏 10 积分
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