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 Comparing bulk-Si FinFET and gate-all-around FETs for the 5 nm technology node 比较5纳米技术节点的体硅FinFET和栅极全能FET
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Vinay Vashishtha; Lawrence T. Clark 出版日期：2020-11-18 |
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