Characterizing Defects Inside Hexagonal Boron Nitride Using Random Telegraph Signals in van der Waals 2D Transistors

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标题	Characterizing Defects Inside Hexagonal Boron Nitride Using Random Telegraph Signals in van der Waals 2D Transistors 用范德华二维晶体管中的随机电报信号表征六方氮化硼内部的缺陷相关领域六方氮化硼范德瓦尔斯力材料科学六方晶系凝聚态物理晶体管纳米技术氮化硼光电子学结晶学物理量子力学石墨烯分子化学电压
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.4c06929
DOI	10.1021/acsnano.4c06929 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Zhujun Huang; Ryong‐Gyu Lee; Edoardo Cuniberto; Jiyoon Song; Jeong‐Won Lee; et al 出版日期：2024-09-28
求助人	陈王在 2024-10-06 12:33:12 发布自北京，悬赏 10 积分
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