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Effect of passivation layer on back channel etching InGaZnO thin film transistors
钝化层对InGaZnO薄膜晶体管背沟道刻蚀的影响
相关领域
钝化
薄膜晶体管
材料科学
无定形固体
阈值电压
场效应
氧化物薄膜晶体管
分析化学(期刊)
光电子学
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期刊:Acta Physica Sinica 作者:Chen Wang; Pan Wen; Cong Peng; Meng Xu; Longlong Chen; et al 出版日期:2023-01-01 |
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