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 Multifunctional Ag–In–Zn–S/Cs 3 Cu 2 Cl 5 ‐Based Memristors with Coexistence of Non‐Volatile Memory and Volatile Threshold Switching Behaviors for Neuroinspired Computing 用于神经启发计算的非易失性存储器和易失性阈值开关行为共存的多功能Ag-In-Zn-S/Cs 3 Cu 2 Cl 5基忆阻器
相关领域
材料科学
记忆电阻器
异质结
神经形态工程学
长时程增强
光电子学
纳米技术
人工神经网络
计算机科学
电子工程
化学
人工智能
生物化学
工程类
受体
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| 其它 |
期刊：Advanced electronic materials 作者：Nan He; Fan Ye; Jun Liu; Tianlong Sun; Xinpeng Wang; et al 出版日期：2022-12-22 |
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