High-temperature performance of InGaN-based amber micro-light-emitting diodes using an epitaxial tunnel junction contact

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标题	High-temperature performance of InGaN-based amber micro-light-emitting diodes using an epitaxial tunnel junction contact 采用外延隧道结接触的InGaN基琥珀微发光二极管的高温性能相关领域光电子学外延材料科学发光二极管二极管宽禁带半导体纳米技术图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1063/5.0190000
DOI	10.1063/5.0190000 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Yimeng Sang; Zhe Zhuang; Kun Xing; Dongqi Zhang; Jinjian Yan; et al 出版日期：2024-04-01
求助人	睡不醒就来上班在 2024-12-24 08:56:03 发布自浙江，悬赏 10 积分
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