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 Atomic Layer Deposited ZnO Negative Capacitance Thin-Film Transistors with Hf0.5Zr0.5O2-Based Ferroelectric Gates 具有Hf0.5Zr 0.5 O2基铁电栅极的原子层沉积ZnO负电容薄膜晶体管
相关领域
原子层沉积
铁电性
材料科学
电容
光电子学
图层（电子）
晶体管
负阻抗变换器
薄膜
宽禁带半导体
薄膜晶体管
电气工程
电介质
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电压源
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Kun Wang; Sizhe Li; Liwei Ji; Jiaxian Wan; Zexin Tu; et al 出版日期：2024-01-01 |
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