Atomic Layer Deposited ZnO Negative Capacitance Thin-Film Transistors with Hf0.5Zr0.5O2-Based Ferroelectric Gates

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作者
Kun Wang,Sizhe Li,Liwei Ji,Jiaxian Wan,Zexin Tu,Hao Wu,Chang Liu
出处
期刊:IEEE Electron Device Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-1
标识
DOI:10.1109/led.2024.3478316
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