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 Pitch Device Design in 10nm-Class DRAM Process through DTCO 通过DTCO实现10nm级DRAM工艺的间距器件设计
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期刊：2021 IEEE 14th International Conference on ASIC (ASICON) 作者：Yanzhe Tang; Zhongming Liu; Weibing Shang; Fengqin Zhang; Bernard Wu; et al 出版日期：2021-10-26 |
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