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 Origin of the current saturation level of p-doped silicon field emitters p掺杂硅场发射极电流饱和能级的起源
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Simon Edler; Andreas Schels; Florian Herdl; W. Hänsch; Michael Bachmann; et al 出版日期：2021-12-21 |
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