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![]() 短路条件下GaN HEMT类型相腿压降特性的比较分析
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
电压降
短路
电压
电气工程
下降(电信)
光电子学
工程类
晶体管
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期刊:The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers 作者:Hyunsoo Yoon; Cheol-Min Kim; Yan-Rong Li; Nam-Joon Kim 出版日期:2024-01-23 |
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