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标题
[高分] Luminescence Properties of InGaN/GaN Green Light-Emitting Diodes with Si-Doped Graded Short-Period Superlattice
掺硅梯度短周期超晶格InGaN/GaN绿色发光二极管的发光特性
相关领域
材料科学 发光二极管 超晶格 光电子学 光致发光 量子限制斯塔克效应 兴奋剂 二极管 量子阱 光学 激光器 物理
网址
https://doi.org/10.1166/jnn.2021.19460
DOI
10.1166/jnn.2021.19460 doi
其它 期刊：Journal of Nanoscience and Nanotechnology
作者：ll-Wook Cho; Bom Lee; Kwanjae Lee; Jin Soo Kim; Mee‐Yi Ryu
出版日期：2021-05-13
求助人
ashore 在 2024-12-27 21:20:16 发布自江苏，悬赏 150 积分
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