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 Reconfigurable Inverter Based on Ferroelectric-Gating MoS2 Field-Effect Transistors toward In-Memory Logic Operations 基于铁电门控MoS2场效应晶体管的存储器内逻辑运算可重构反相器
相关领域
逆变器
功率选通
铁电性
晶体管
门控
逻辑门
场效应晶体管
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材料科学
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期刊：The Journal of Physical Chemistry Letters 作者：Shufang Dong; Mingjie Li; Zhongyang Liu; Jian Zhi Hu; Yingtao Ding; et al 出版日期：2025-02-14 |
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