| 标题 |
  Ion Implantation Doping in Silicon Carbide and Gallium Nitride Electronic Devices 碳化硅和氮化镓电子器件中的离子注入掺杂
相关领域
材料科学
兴奋剂
光电子学
掺杂剂
离子注入
碳化硅
氮化镓
宽禁带半导体
带隙
工程物理
纳米技术
离子
化学
复合材料
有机化学
图层（电子）
工程类
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期刊：Micro 作者：Fabrizio Roccaforte; Filippo Giannazzo; G. Greco 出版日期：2022-01-10 |
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