Suppressing the vdW Gap‐Induced Tunneling Barrier by Constructing Interfacial Covalent Bonds in 2D Metal–Semiconductor Contacts

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标题	Suppressing the vdW Gap‐Induced Tunneling Barrier by Constructing Interfacial Covalent Bonds in 2D Metal–Semiconductor Contacts 通过在二维金属-半导体接触中构建界面共价键抑制vdW间隙诱导的隧穿势垒相关领域欧姆接触材料科学共价键悬空债券量子隧道半导体范德瓦尔斯力费米能级凝聚态物理金属键合金属纳米技术光电子学分子硅物理电子图层（电子）量子力学冶金
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202412773
DOI	10.1002/adfm.202412773 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Wenchao Shan; Anqi Shi; Zhengyang Xin; Xiuyun Zhang; Bing Wang; et al 出版日期：2024-09-12
求助人	长理物电强在 2024-09-14 17:24:15 发布自湖南，悬赏 10 积分
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