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 Output breakdown characteristics of amorphous InGaZnO thin-film transistors at high gate voltage 非晶InGaZnO薄膜晶体管在高栅极电压下的输出击穿特性
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Huan Yang; Tung‐Jung Huang; Wengao Pan; Lei Lü; Shengdong Zhang 出版日期：2024-02-26 |
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