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 Beyond 10 μm Depth Ultra-High Speed Etch Process with 84% Lower Carbon Footprint for Memory Channel Hole of 3D NAND Flash over 400 Layers 400层以上3D NAND闪存通道孔超10 μ m深度超高速刻蚀工艺，碳足迹降低84%
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期刊： 作者：Yoshihide Kihara; M. Tomura; Wataru Sakamoto; Masanobu Honda; Masayuki Kojima 出版日期：2023-06-11 |
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