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标题
Investigation of an AlGaN-channel Schottky barrier diode on a silicon substrate with a molybdenum anode
硅衬底钼阳极AlGaN沟道肖特基势垒二极管的研究
相关领域
材料科学 光电子学 阳极 肖特基势垒 肖特基二极管 钼 二极管 电流（流体） 泄漏（经济） 硅 频道（广播） 基质（水族馆） 碳化硅 电气工程 化学 电极 复合材料 冶金 经济 物理化学 宏观经济学 工程类 地质学 海洋学
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/abcbd5
DOI
10.1088/1361-6641/abcbd5 doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Tao Zhang; Jincheng Zhang; Weihang Zhang; Yachao Zhang; Xiaoling Duan; et al
出版日期：2020-11-18
求助人
Eden 在 2025-04-25 17:52:23 发布自广东，悬赏 30 积分
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