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Investigation of Si incorporation in (010) β-Ga2O3 films grown by plasma-assisted MBE using diluted disilane as Si source and suboxide Ga2O precursor
以稀二硅烷为硅源、低氧化Ga2O前驱体等离子体辅助MBE生长(010)β-Ga2O3薄膜中Si掺入的研究
相关领域
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Zhuoqun Wen; Xin Zhai; Cindy Lee; Stefan Kosanovic; Yunjo Kim; et al 出版日期:2024-03-18 |
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