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 Study of 375 nm ultraviolet InGaN/AlGaN light-emitting diodes with heavily Si-doped GaN transition layer in growth mode, internal quantum efficiency, and device performance 重Si掺杂GaN过渡层375 nm紫外InGaN/AlGaN发光二极管的生长模式、内量子效率和器件性能研究
相关领域
发光二极管
材料科学
光电子学
量子效率
电压降
化学气相沉积
光致发光
二极管
兴奋剂
宽禁带半导体
图层（电子）
位错
紫外线
纳米技术
功率（物理）
复合材料
物理
量子力学
分压器
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Shih-Cheng Huang; Kun-Ching Shen; Dong-Sing Wuu; Po-Min Tu; Hao-Chung Kuo; et al 出版日期：2011-12-21 |
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