Dislocation half-loop control for optimal V-defect density in GaN-based light emitting diodes - 科研通

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标题	Dislocation half-loop control for optimal V-defect density in GaN-based light emitting diodes GaN基发光二极管V型缺陷密度的位错半环控制相关领域位错宽禁带半导体材料科学光电子学发光二极管二极管循环（图论）凝聚态物理物理复合材料数学组合数学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0217727
DOI	10.1063/5.0217727 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Alejandro Quevedo; Feng Wu; Tsung-Yin Tsai; Jacob J. Ewing; Tanay Tak; et al 出版日期：2024-07-22
求助人	ashore 在 2024-12-27 22:45:44 发布自江苏，悬赏 10 积分
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