标题 |
XPS investigation with factor analysis for the study of Ge clustering in SiO2
用因子分析法研究Ge在SiO2中的团簇
相关领域
X射线光电子能谱
纳米团簇
退火(玻璃)
分析化学(期刊)
锗
卢瑟福背散射光谱法
透射电子显微镜
材料科学
化学状态
硅
化学
结晶学
薄膜
核磁共振
纳米技术
物理
冶金
色谱法
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Surface and Interface Analysis 作者:Steffen Oswald; Bernd Schmidt; K.‐H. Heinig 出版日期:2000-04-01 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|